最近，有传言称三星将估计2纳米资源开发的开发，希望这将是明年年初在美国德克萨斯州工厂引入2纳米工艺的人，以尝试到达TSMC。半导体行业宣布，三星目前正在使用GAAFET建造3纳米，这大约是其竞争对手的4纳米粉末水平。它的2纳米性能可能不如最后和最强大的TSMC生成3纳米粉状粉状。特别是，TSMC将开发更多的3纳米家庭成员，包括N3X，N3C，N3A和其他应用程序，这将是将来主要客户的首选。本文指出：智能手机的当前旗舰列表，所有人都使用第二代NG TSMC 3纳米（N3E）和三星Exynos只有2500个是其自己的3纳米GAAFET；预计各种操作员将重复第三ge今年的Neration 3纳米（N3P）。根据供应链的数据，TSMC的N3P在去年年底之前进入大众劳动阶段，今年的整体生产能力将增长60％以上。供应链说，使用回收的晶圆，钻石盘和特殊化学物质的使用显着增加，以及相关的供应链，例如Shengyang Ban，Zhongsha和Songsheng Technology；其中，Songsheng Technology是磨削垫供应商的少数半导体CMP流程之一，并直接与国际制造商竞争。三星正在积极地获得，预计到今年年底，2NM流程将被大量生产，并计划在明年第一季度领导美国德克萨斯州Taylorplant的2NM介绍；看来TSMC的2NM登陆时间已经在美国达到了，但是半导体行业已经教导说，TSMC严格遵守了最先进的过程和发展D在台湾，将来，海外工厂旨在针对母亲。 IC设计行业宣布，TSMC流程仍然可以在整体芯片性能中取得更好的结果。例如，使用ARM Cortex-X925超大核心设计的Dimente 9400可以达到3.62GHz，这比Exynos 2500 3.3GHz的性能要好。在发布时间之前，大约3个季节。三星铸造厂显然不满足国际芯片制造商的最先进需求。供应链宣布，为了满足客户的制造需求，亚利桑那州的PANGTSMC工厂进入了加速阶段。预计机器移动将在明年第三季度举行。将来，它还将在台湾供应链上工作，以与国际杯作斗争，以促进工业的整体升级。